凈化工程是指控制產品 (如硅芯片等) 所接觸大氣的潔凈度及溫濕度，使產品能在一個良好的環境空間中生產、制造。此環境空間的設計施工過程即可稱為凈化工程。

潔凈室中的溫濕度控制

潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生產的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高產生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對于硅片生產濕度范圍為35—45%。

在潔凈室內靜電導致的事故有以下幾方面；

1．靜電電引起的靜電電擊，引起人的不和恐懼感，并可造成二次傷害(例如人因受電擊而摔倒，由摔倒又致傷)；

2．靜電放電引起的放電電流，可導致諸如半導體元件等破壞和誤動作，例如將50塊P- MOS電路放在塑料袋內，搖晃數次后，與非門柵極嚴重擊穿者計39塊，失效率競達78%，這是因為半導體器件對靜電放電十分靈敏；

3．靜電放電產生的電磁波可導致電子儀器和裝置的雜音和誤動作；

4．靜電放電的發光可導致照相肢片等感光破壞；

5．靜電的力學現象可導致篩孔被粉塵堵塞，紡紗線紛亂，印刷品深淺不均和制品污染；

靜電問題所以在潔凈室中特別嚴重，是因為不但在潔凈室中具備前述產生靜電的多種工藝因素，而且因為潔凈室中的許多材料如塑料地面、墻面，尼龍、的確良等工作服都有很高的電阻率，都極易產生靜電和集聚靜電，在潔凈室的靜電災害未被重視以前，這些材料料是被廣泛采用的。